搭載レーザー

半導体励起個体レーザー　3,000 mW
100 〜 150 KHz

走査方式

デジタル方式

レーザ保証時間

1年間

最大走査速度

8 – 15 m/sec

硬化径

0.1 – 0.85 mm（自動可変）

最大造形サイズ

W 2,100 × D 700 × H 800 mm

Ｚテーブル

100 – 250 μmピッチ

リコータ

ゼファー方式

液面制御

フロート方式／デジタルメーター

電源仕様

200 – 240 VAC, 50/60 Hz（単相）

装置外形寸法

W 2,630 × D 1,945 × H 2,765 mm

装置重量

2,520 kg （樹脂含まず）

ソフトウェア

RSCON／UT＿BPC／Polydevs

オペレーション

英語